FQB33N10TM
| 工場モデル | FQB33N10TM |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 |
| パッケージ | D2PAK (TO-263) |
| 株式 | 6676 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 16.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 127W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
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