FQB34P10TM-F085
| 工場モデル | FQB34P10TM-F085 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK |
| パッケージ | D²PAK (TO-263) |
| 株式 | 5924 pcs |
| データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Wafer Production 09/Jan/2023Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 01/Oct/2021onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 16.75A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2910 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQB34P10 |
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