FDZ3N513ZT
| 工場モデル | FDZ3N513ZT |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP |
| パッケージ | 4-WLCSP (1x1) |
| 株式 | 273605 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 859 |
|---|
| $0.144 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +5.5V, -300mV |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-WLCSP (1x1) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 462mOhm @ 300mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA, WLCSP |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 85 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.1A |
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