FDZ3N513ZT
| 工場モデル | FDZ3N513ZT |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP |
| パッケージ | 4-WLCSP (0.96x0.96) |
| 株式 | 4671 pcs |
| データシート | FDZ3N513ZTLogo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/20173Q Mult Dev EOL 9/Nov/2017onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +5.5V, -0.3V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-WLCSP (0.96x0.96) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 462mOhm @ 300mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA, WLCSP |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 85 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Body) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 3.2V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.1A (Ta) |
| 基本製品番号 | FDZ3N |
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