FDS6162N3
工場モデル | FDS6162N3 |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 21A 8SO |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 66415 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
171 |
---|
$0.689 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.5mOhm @ 21A, 4.5V |
電力消費(最大) | 3W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5521 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 73 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Ta) |
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