FDS5170N7
工場モデル | FDS5170N7 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO |
パッケージ | 8-SO FLMP |
株式 | 5392 pcs |
データシート | FDS5170N7Multiple Devices 03/Dec/2009onsemi REACHonsemi RoHSMold Compound 27/March/2008 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO FLMP |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12mOhm @ 10.6A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2889 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 71 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10.6A (Ta) |
基本製品番号 | FDS51 |
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