FDR836P
| 工場モデル | FDR836P |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | P-CHANNEL MOSFET |
| パッケージ | SuperSOT™-8 |
| 株式 | 150476 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 333 |
|---|
| $0.314 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-8 |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 900mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.1A (Ta) |
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