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FDR840P

工場モデル FDR840P
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
パッケージ SuperSOT™-8
株式 4931 pcs
データシート FDR840Ponsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4931のonsemi FDR840Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-8
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 12mOhm @ 10A, 4.5V
電力消費（最大） 1.8W (Ta)
パッケージ/ケース 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4481 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 60 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta)
基本製品番号 FDR84

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