FDI33N25TU
工場モデル | FDI33N25TU |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK |
パッケージ | I2PAK (TO-262) |
株式 | 5026 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
シリーズ | UniFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 94mOhm @ 16.5A, 10V |
電力消費(最大) | 235W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2135 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 48 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 250 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 33A (Tc) |
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