FDI3632
工場モデル | FDI3632 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK |
パッケージ | I2PAK (TO-262) |
株式 | 3847 pcs |
データシート | FDB,P,I,H3632Multiple Devices 11/Mar/2013onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3847のonsemi FDI3632の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大) | 310W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6000 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 110 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta), 80A (Tc) |
基本製品番号 | FDI3632 |
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