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Fairchild Semiconductor

FDB8443

工場モデル FDB8443
メーカー Fairchild Semiconductor
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
パッケージ D2PAK (TO-263)
株式 6526 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6526のFairchild Semiconductor FDB8443の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK (TO-263)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大） 188W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9310 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 185 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 25A (Ta), 120A (Tc)

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