FDB86360-F085
工場モデル | FDB86360-F085 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 23986 pcs |
データシート | Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSTO263 Dev Pkg Chg 24/May/2018EOL NOTICE 30/Mar/2023FDWS8636x/FDBL86x 31/Mar/2022FDB86360-F085 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
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$2.084 | $1.871 | $1.533 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.8mOhm @ 80A, 10V |
電力消費(最大) | 333W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14600 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 253 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 110A (Tc) |
基本製品番号 | FDB86360 |
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