EPC2105ENG
工場モデル | EPC2105ENG |
---|---|
メーカー | EPC |
詳細な説明 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
パッケージ | Die |
株式 | 12328 pcs |
データシート | EPC2105 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10 | 30 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|---|
$4.344 | $4.018 | $3.693 | $3.367 | $3.15 | $2.889 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのEPCシリーズの電子コンポーネントを専門としています。12328のEPC EPC2105ENGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 2.5mA |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
電力 - 最大 | - |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | Die |
他の名前 | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 300pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.5nC @ 5V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.5A, 38A |
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