EPC2101ENGRT
| 工場モデル | EPC2101ENGRT |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 詳細な説明 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| パッケージ | Die |
| 株式 | 5204 pcs |
| データシート | EPC2101EPC RoHS & Halogen CertEPC REACHEPC2101 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのEPCシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5204のEPC EPC2101ENGRTの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 2mA |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300pF @ 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A, 38A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | EPC210 |
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