DI200N04PQ
| 工場モデル | DI200N04PQ |
|---|---|
| メーカー | Diotec Semiconductor |
| 詳細な説明 | MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, |
| パッケージ | 8-QFN (5x6) |
| 株式 | 64742 pcs |
| データシート | DI200N04PQ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 5000 |
|---|
| $0.64 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-QFN (5x6) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 180W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5768 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) |
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