G170P02D2
工場モデル | G170P02D2 |
---|---|
メーカー | Goford Semiconductor |
詳細な説明 | P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH |
パッケージ | 6-DFN (2x2) |
株式 | 1106735 pcs |
データシート | G170P02D2 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 | 15000 | 30000 | 51000 |
---|---|---|---|
$0.038 | $0.035 | $0.032 | $0.029 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1106735のGoford Semiconductor G170P02D2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-DFN (2x2) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 6A, 4.5V |
電力消費(最大) | 18W (Tc) |
パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2179 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |