ZXMN10A11GTA
| 工場モデル | ZXMN10A11GTA |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
| パッケージ | SOT-223-3 |
| 株式 | 293963 pcs |
| データシート | ZXMN10A11GDate Code Mark Update 13/Jan/2015Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $0.28 | $0.246 | $0.188 | $0.149 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 2.6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 274 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Ta) |
| 基本製品番号 | ZXMN10 |
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