ZXMHC6A07N8TC
| 工場モデル | ZXMHC6A07N8TC |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 211802 pcs |
| データシート | ZXMHC6A07N8Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.378 | $0.338 | $0.264 | $0.218 | $0.172 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 250mOhm @ 1.8A, 10V |
| 電力 - 最大 | 870mW |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 166pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.39A, 1.28A |
| コンフィギュレーション | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | ZXMHC6A07 |
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