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Diodes Incorporated

DMTH4001SPSQ-13

工場モデル DMTH4001SPSQ-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
パッケージ PowerDI5060-8 (Type K)
株式 81412 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1
$0.514
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。81412のDiodes Incorporated DMTH4001SPSQ-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI5060-8 (Type K)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1mOhm @ 30A, 10V
電力消費(最大) 3.1W (Ta), 187.5W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10787 pF @ 20 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 144 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 225A (Tc)

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