DMTH32M5LPSQ-13
| 工場モデル | DMTH32M5LPSQ-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8 |
| パッケージ | PowerDI5060-8 |
| 株式 | 169856 pcs |
| データシート | Mult Dev 04/Dec/2020Diodes Environmental Compliance CertDMTH32M5LPSQ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.424 | $0.379 | $0.295 | $0.244 | $0.193 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.2W (Ta), 100W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3944 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 170A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMTH32 |
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