DMTH10H1M7STLWQ-13
| 工場モデル | DMTH10H1M7STLWQ-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10 |
| パッケージ | POWERDI1012-8 |
| 株式 | 40030 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMTH10H1M7STLWQ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $1.873 | $1.682 | $1.378 | $1.173 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。40030のDiodes Incorporated DMTH10H1M7STLWQ-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | POWERDI1012-8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 6W (Ta), 250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9871 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 147 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 250A (Tc) |
| 基本製品番号 | DMTH10 |
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