DMTH10H017LPD-13
| 工場モデル | DMTH10H017LPD-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 |
| パッケージ | PowerDI5060-8 (Type E) |
| 株式 | 201086 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMTH10H017LPD |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2500 | 5000 | 12500 |
|---|---|---|
| $0.238 | $0.226 | $0.218 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 (Type E) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17.4mOhm @ 17A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2.6W (Ta), 93W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1986pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28.6nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 59A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | DMTH10 |
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