Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > DMT35M4LFVW-7
Diodes Incorporated

DMT35M4LFVW-7

工場モデル DMT35M4LFVW-7
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
パッケージ PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
株式 628959 pcs
データシート Diodes Environmental Compliance CertDMT35M4LFVW
提案された価格 (米ドルでの測定)
2000 6000 10000 50000
$0.077 $0.072 $0.067 $0.062
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。628959のDiodes Incorporated DMT35M4LFVW-7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 6mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 1.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount, Wettable Flank
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 982 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16.1 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A (Ta), 60A (Tc)
基本製品番号 DMT35M4LF

おすすめ商品

DMT35M4LFVW-7 データテーブルPDF

データシート