DMT32M6LDG-7
工場モデル | DMT32M6LDG-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 |
パッケージ | PowerDI3333-8 (Type G) |
株式 | 153790 pcs |
データシート | DMT32M6LDG |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.57 | $0.509 | $0.397 | $0.328 | $0.259 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 400µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 (Type G) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.5mOhm @ 18A, 10V |
電力 - 最大 | 1.1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2101pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15.6nC @ 4.5V |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Ta), 47A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMT32 |
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