DMN66D0LDWQ-13
工場モデル | DMN66D0LDWQ-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R |
パッケージ | SOT-363 |
株式 | 2175019 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMN66D0LDWQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 | 30000 | 50000 | 100000 | 250000 |
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$0.02 | $0.019 | $0.018 | $0.016 | $0.015 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-363 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6Ohm @ 115mA, 5V |
電力 - 最大 | 400mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 29.3pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.9nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 217mA (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN66 |
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