DMN65D8LFB-7
工場モデル | DMN65D8LFB-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN |
パッケージ | X1-DFN1006-3 |
株式 | 1870517 pcs |
データシート | Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021Diodes Environmental Compliance CertDMN65D8LFB |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.115 | $0.095 | $0.051 | $0.033 | $0.023 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | X1-DFN1006-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3Ohm @ 115mA, 10V |
電力消費(最大) | 430mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 3-UFDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 25 pF @ 25 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 260mA (Ta) |
基本製品番号 | DMN65 |
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