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DMG9N65CTI

工場モデル DMG9N65CTI
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
パッケージ ITO-220AB
株式 5457 pcs
データシート DMG9N65CTIDiodes Environmental Compliance CertMult Devices EOL 05/Feb/2019
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5457のDiodes Incorporated DMG9N65CTIの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ ITO-220AB
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
電力消費（最大） 13W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2310 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 39 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Tc)
基本製品番号 DMG9

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データシート

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