DMG3418L-13
工場モデル | DMG3418L-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 |
パッケージ | SOT-23-3 |
株式 | 1817017 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMG3418L |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 | 30000 | 50000 | 100000 |
---|---|---|---|
$0.029 | $0.027 | $0.025 | $0.024 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 1.4W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 464.3 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Ta) |
基本製品番号 | DMG3418 |
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