DMG3415UFY4Q-7
| 工場モデル | DMG3415UFY4Q-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 |
| パッケージ | X2-DFN2015-3 |
| 株式 | 693273 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMG3415UFY4Q |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.165 | $0.142 | $0.106 | $0.083 | $0.064 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | X2-DFN2015-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 39mOhm @ 4A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 650mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 3-XDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 282 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 16 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) |
| 基本製品番号 | DMG3415 |
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