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SPP12N50C3HKSA1 Image
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SPP12N50C3HKSA1

工場モデル SPP12N50C3HKSA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3
パッケージ PG-TO220-3-1
株式 4604 pcs
データシート SPx12N50C3Part Number GuideCoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4604のInfineon Technologies SPP12N50C3HKSA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.9V @ 500µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
シリーズ CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 380mOhm @ 7A, 10V
電力消費（最大） 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1200 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 49 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 560 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11.6A (Tc)
基本製品番号 SPP12N

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