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SPP10N10L

工場モデル SPP10N10L
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
パッケージ PG-TO220-3-1
株式 4029 pcs
データシート SPI,SPP10N10LPart Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4029のInfineon Technologies SPP10N10Lの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 21µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 154mOhm @ 8.1A, 10V
電力消費（最大） 50W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 444 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 22 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10.3A (Tc)
基本製品番号 SPP10N

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データシート

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