Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SPD03N60C3ATMA1
SPD03N60C3ATMA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SPD03N60C3ATMA1

工場モデル SPD03N60C3ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3
株式 135960 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Leadframe Chgs 9/Jun/2020Mult Dev Leadframe Rev 30/Jun/2020CoolMOS A/T Chgs 4/Mar/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.637 $0.573 $0.46 $0.378 $0.313
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。135960のInfineon Technologies SPD03N60C3ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.9V @ 135µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.4Ohm @ 2A, 10V
電力消費(最大) 38W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 400 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 17 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.2A (Tc)
基本製品番号 SPD03N60

おすすめ商品

SPD03N60C3ATMA1 データテーブルPDF

データシート