Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3ATMA1 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SPD02N80C3ATMA1

工場モデル SPD02N80C3ATMA1
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3
株式 128428 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Leadframe Chgs 9/Jun/2020Mult Dev Leadframe Rev 30/Jun/2020CoolMOS A/T Chgs 4/Mar/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.63 $0.563 $0.439 $0.363 $0.286
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。128428のInfineon Technologies SPD02N80C3ATMA1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3.9V @ 120µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
電力消費（最大） 42W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 290 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 16 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Tc)
基本製品番号 SPD02N80

おすすめ商品

SPD02N80C3ATMA1 データテーブルPDF

データシート

SPD02N80C3ATMA1に関連した語彙

SPD02N80C3ATMA1関連コンポーネント