IRL2910STRLPBF
工場モデル | IRL2910STRLPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
パッケージ | D2PAK |
株式 | 26532 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 |
---|---|---|
$1.705 | $1.53 | $1.253 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 29A, 10V |
電力消費(最大) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3700 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 55A (Tc) |
基本製品番号 | IRL2910 |
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