Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRL2505PBF
IRL2505PBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRL2505PBF

工場モデル IRL2505PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
パッケージ TO-220AB
株式 77870 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.279 $1.148 $0.923 $0.758 $0.628 $0.585 $0.563
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。77870のInfineon Technologies IRL2505PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8mOhm @ 54A, 10V
電力消費（最大） 200W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5000 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 130 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 104A (Tc)
基本製品番号 IRL2505

おすすめ商品

IRL2505PBF データテーブルPDF

データシート

IRL2505PBFに関連した語彙

IRL2505PBF関連コンポーネント