IRFR825TRPBF
工場モデル | IRFR825TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
パッケージ | D-Pak |
株式 | 166757 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemIRFR825/IRFB812 Fab Transfer 03/Oct/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.524 | $0.468 | $0.365 | $0.301 | $0.238 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.3Ohm @ 3.7A, 10V |
電力消費(最大) | 119W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1346 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
基本製品番号 | IRFR825 |
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