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IRFR812PBF

工場モデル IRFR812PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
パッケージ D-Pak
株式 4105 pcs
データシート Tube Pkg Qty Std Rev 18/Aug/2016Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017Pkg Type Disc 16/May/2016Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IR Part Numbering System
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4105のInfineon Technologies IRFR812PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
電力消費（最大） 78W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 810 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 20 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.6A (Tc)

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