IRFR3411PBF
工場モデル | IRFR3411PBF |
---|---|
メーカー | International Rectifier |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
パッケージ | TO-252AA |
株式 | 371955 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$0.125 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 44mOhm @ 16A, 10V |
電力消費(最大) | 130W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1960 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 71 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 32A (Tc) |
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