IRFR3410TRPBF
工場モデル | IRFR3410TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 31A DPAK |
パッケージ | D-Pak |
株式 | 163171 pcs |
データシート | Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019Mult Dev Wafer Chgs 31/Aug/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.518 | $0.463 | $0.361 | $0.298 | $0.236 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 39mOhm @ 18A, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Ta), 110W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1690 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 56 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31A (Tc) |
基本製品番号 | IRFR3410 |
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