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IRFR120NTRLPBF

工場モデル IRFR120NTRLPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
パッケージ PG-TO252-3
株式 247715 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022Warehouse Transfer 29/Jul/2015IR Part Numbering SystemMult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.371 $0.328 $0.251 $0.199 $0.159
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。247715のInfineon Technologies IRFR120NTRLPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 210mOhm @ 5.6A, 10V
電力消費（最大） 48W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 330 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 25 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.4A (Tc)
基本製品番号 IRFR120

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データシート

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