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IRF9953TRPBF

工場モデル IRF9953TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 117916 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10
$0.314 $0.277
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。117916のInfineon Technologies IRF9953TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 250mOhm @ 1A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 190pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 12nC @ 10V
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.3A
コンフィギュレーション 2 P-Channel (Dual)
基本製品番号 IRF995

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