Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > IRF9910TRPBF
IRF9910TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF9910TRPBF

工場モデル IRF9910TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
パッケージ 8-SO
株式 6402 pcs
データシート Mult Dev Site Add 28/Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev EOL 23/Sep/2022Mult Dev Halogen/PN Status Chgs 21/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6402のInfineon Technologies IRF9910TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.55V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9.3mOhm @ 12A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 900pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 11nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A, 12A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 IRF99

おすすめ商品

IRF9910TRPBF データテーブルPDF

データシート

IRF9910TRPBFに関連した語彙

IRF9910TRPBF関連コンポーネント