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IRF9389PBF

工場モデル IRF9389PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
パッケージ 8-SO
株式 3948 pcs
データシート Warehouse Transfer 29/Jul/2015Pkg Type Disc 16/May/2016IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3948のInfineon Technologies IRF9389PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3V @ 10µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 27mOhm @ 6.8A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 398pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 14nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.8A, 4.6A
コンフィギュレーション N and P-Channel
基本製品番号 IRF9389

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データシート

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