Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF9388TRPBF
IRF9388TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF9388TRPBF

工場モデル IRF9388TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 314107 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022Warehouse Transfer 29/Jul/2015IR Part Numbering System
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.329 $0.291 $0.223 $0.177 $0.141 $0.128
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。314107のInfineon Technologies IRF9388TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 25µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.5mOhm @ 12A, 20V
電力消費（最大） 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1680 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 52 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V, 20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Ta)
基本製品番号 IRF9388

おすすめ商品

IRF9388TRPBF データテーブルPDF

データシート

IRF9388TRPBFに関連した語彙

IRF9388TRPBF関連コンポーネント