Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > IRF8915TRPBF
IRF8915TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF8915TRPBF

工場モデル IRF8915TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 3872 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Site Add 28/Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev EOL 23/Sep/2022Mult Dev Halogen/PN Status Chgs 21/Feb/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3872のInfineon Technologies IRF8915TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 540pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 7.4nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.9A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 IRF89

おすすめ商品

IRF8915TRPBF データテーブルPDF

データシート

IRF8915TRPBFに関連した語彙

IRF8915TRPBF関連コンポーネント