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IRF8910GPBF

工場モデル IRF8910GPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
パッケージ 8-SO
株式 4356 pcs
データシート Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4356のInfineon Technologies IRF8910GPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.55V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 13.4mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 960pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 11nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 IRF89

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