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IRF8113GTRPBF

工場モデル IRF8113GTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 5120 pcs
データシート IRF8113GPBFBackend Wafer Transfer 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemMultiple Devices 25/Apr/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5120のInfineon Technologies IRF8113GTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2910 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 36 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 17.2A (Ta)

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