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IRF7862TRPBF

工場モデル IRF7862TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 252729 pcs
データシート IRF7862PbFPart Number GuideMult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022Warehouse Transfer 29/Jul/2015IRF7862PbFIR Part Numbering SystemStandardized Format 21/Jun/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.436 $0.39 $0.304 $0.251 $0.198 $0.185
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。252729のInfineon Technologies IRF7862TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.35V @ 100µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.7mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4090 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 45 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 21A (Ta)
基本製品番号 IRF7862

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データシート

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