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IRF7815PBF

工場モデル IRF7815PBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 6046 pcs
データシート Packing Material Update 16/Sep/2016Pkg Type Disc 16/May/2016Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6046のInfineon Technologies IRF7815PBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 100µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 43mOhm @ 3.1A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1647 pF @ 75 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 38 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 150 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.1A (Ta)

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