Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRF7809ATR
IRF7809ATR Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRF7809ATR

工場モデル IRF7809ATR
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
パッケージ 8-SO
株式 5799 pcs
データシート IRF7809A/11AIR Part Numbering SystemEOL122B 02/Oct/2007
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5799のInfineon Technologies IRF7809ATRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
電力消費（最大） 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7300 pF @ 16 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 75 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 14.5A (Ta)

おすすめ商品

IRF7809ATR データテーブルPDF

データシート

IRF7809ATRに関連した語彙

IRF7809ATR関連コンポーネント